Samsung y Broadcom firman un acuerdo de cooperación en chips de IA valorado en 200 mil millones de dólares

Samsung Electronics ha anunciado la firma de un memorando de cooperación estratégica con Broadcom por valor de más de 200 mil millones de dólares, válido hasta 2030. El acuerdo cubre la producción de chips lógicos utilizando los nodos de proceso avanzados de Samsung Foundry, el desarrollo de memoria HBM de próxima generación y la utilización de tecnologías de empaquetado avanzado. Un elemento clave será la fabricación de los ASIC de comunicación de próxima generación de Broadcom utilizando el proceso sub-2 nanómetros de Samsung. Las empresas también planean desarrollar conjuntamente memoria HBM de alta velocidad para aceleradores de IA e integrar chiplets de cómputo con memoria en un solo paquete. Para Samsung, el acuerdo es estratégicamente significativo, ya que fortalece su posición en la fabricación de semiconductores por contrato (compitiendo con TSMC) y en el mercado de memoria para IA (compitiendo con SK hynix). El acuerdo se anunció durante la visita del presidente surcoreano Lee Jae-myung a Silicon Valley para una cumbre sobre inteligencia artificial (IA).