Samsung confirma que HBM5 utilizará proceso GAA de 2 nm, con velocidad superior al 50% respecto a HBM4E
El jefe de la división de desarrollo de semiconductores de Samsung afirmó que HBM5 será más de un 50% más rápido que HBM4E, utilizando un proceso de 2 nm con transistores GAA y conexiones TSV más densas. La empresa planea expandir la colaboración en dispositivos móviles, HBM, IA, HPC, electrónica automotriz y robótica.
Samsung
36Kr27.07 · 14:03
