Samsung

Samsung подтвердила: HBM5 будет на 2-нм GAA-техпроцессе, скорость более чем на 50% выше HBM4E

Глава отдела разработки полупроводников Samsung заявил, что HBM5 будет работать более чем на 50% быстрее HBM4E, используя 2-нм техпроцесс с GAA-транзисторами и более плотные TSV-соединения. Компания планирует расширять сотрудничество в области мобильных устройств, HBM, ИИ, HPC, автомобильной электроники и робототехники.

Samsung