Samsung

Samsung подтверждает: HBM5 будет использовать 2-нм GAA-процесс, скорость более чем на 50% выше HBM4E

Samsung Electronics подтвердила, что ее память следующего поколения HBM5 будет использовать 2-нм GAA-процесс, обеспечивая скорость более чем на 50% выше, чем HBM4E. Компания планирует использовать опыт с базовыми чипами HBM4 на 4 нм для внедрения 2-нм GAA в HBM5 на раннем этапе.

Samsung