Samsung подтверждает: HBM5 будет использовать 2-нм GAA-процесс, скорость более чем на 50% выше HBM4E
Samsung
Samsung Electronics подтвердила, что ее память следующего поколения HBM5 будет использовать 2-нм GAA-процесс, обеспечивая скорость более чем на 50% выше, чем HBM4E. Компания планирует использовать опыт с базовыми чипами HBM4 на 4 нм для внедрения 2-нм GAA в HBM5 на раннем этапе.
27 июля Samsung Electronics опубликовала интервью с Ку Чжа Хёном, руководителем офиса технологического развития подразделения полупроводникового бизнеса. Ку заявил, что память следующего поколения HBM5, как ожидается, будет работать более чем на 50% быстрее, чем HBM4E. Базовый чип HBM5 будет использовать 2-нм технологию GAA (Gate-All-Around, кольцевой затвор) и более плотные TSV (Through Silicon
Показать ещё ↓
Источник: 36Kr —
оригинал