Samsung confirma que HBM5 usará proceso GAA de 2 nm, velocidad más de un 50% más rápida que HBM4E
Samsung
Samsung Electronics confirmó que su memoria HBM5 de próxima generación utilizará un proceso GAA de 2 nm, logrando una velocidad más de un 50% superior a la de HBM4E. La compañía planea aprovechar su experiencia con chips base HBM4 de 4 nm para introducir tempranamente el proceso GAA de 2 nm en HBM5.
El 27 de julio, Samsung Electronics publicó una entrevista con Koo Ja-hyun, director de la oficina de desarrollo tecnológico de la unidad de negocio de semiconductores. Koo afirmó que la próxima generación de memoria HBM5 se espera que funcione más de un 50% más rápido que la HBM4E. El chip base de HBM5 utilizará un proceso GAA (Gate-All-Around) de 2 nm y logrará TSV (Through Silicon Via, vías a través del silicio) de mayor densidad. Samsung aprovechará su experiencia y competitividad técnica obtenida de los chips base HBM4 de 4 nm para introducir tempranamente el proceso de 2 nm en HBM5. La compañía tiene como objetivo expandir la colaboración con clientes en los campos de dispositivos móviles, HBM, inteligencia artificial, computación de alto rendimiento, electrónica automotriz, robótica y otros, para liderar el ecosistema de semiconductores.
Fuente: 36Kr —
original