Samsung, HBM5'in 2nm GAA süreci kullanacağını ve HBM4E'den %50'den daha hızlı olacağını doğruladı

27 Temmuz'da Samsung Electronics, yarı iletken iş birimi teknoloji geliştirme ofisi başkanı Koo Ja-hyun ile yapılan bir röportajı yayımladı. Koo, bir sonraki nesil HBM5 belleğinin HBM4E'den yüzde 50'den daha hızlı çalışmasının beklendiğini belirtti. HBM5 taban yongası, 2nm GAA (Gate-All-Around) sürecini kullanacak ve daha yüksek yoğunluklu TSV'ye (Through Silicon Via) ulaşacak. Samsung, 4nm HBM4 taban yongalarından kazandığı deneyim ve teknik rekabet gücünü kullanarak HBM5'te 2nm sürecini erken tanıtmayı hedefliyor. Şirket, mobil, HBM, yapay zeka, yüksek performanslı bilgi işlem, otomotiv elektroniği, robotik ve diğer alanlarda müşteri iş birliğini genişleterek yarı iletken ekosistemine liderlik etmeyi amaçlıyor.