Samsung confirma que HBM5 usará processo GAA de 2nm, velocidade 50% superior à HBM4E

Em 27 de julho, a Samsung Electronics divulgou uma entrevista com Koo Ja-hyun, chefe do escritório de desenvolvimento tecnológico da unidade de negócios de semicondutores. Koo afirmou que a memória HBM5 de próxima geração deve operar mais de 50% mais rápido que a HBM4E. O chip base da HBM5 usará um processo GAA (Gate-All-Around) de 2nm e alcançará TSV (Through Silicon Via) de maior densidade. A Samsung aproveitará sua experiência e competitividade técnica obtidas com os chips base de HBM4 de 4nm para introduzir o processo de 2nm precocemente na HBM5. A empresa pretende expandir a colaboração com clientes nas áreas de celulares, HBM, IA, HPC, eletrônica automotiva, robótica e outros campos para liderar o ecossistema de semicondutores.