Samsung bestätigt: HBM5 nutzt 2-nm-GAA-Prozess, Geschwindigkeit über 50 Prozent schneller als HBM4E
Samsung
Samsung Electronics hat bestätigt, dass sein nächste Generation HBM5-Speicher einen 2-nm-GAA-Prozess verwenden wird, wobei die Geschwindigkeit um über 50 Prozent höher liegt als bei HBM4E. Das Unternehmen plant, seine Erfahrungen mit 4-nm-HBM4-Base-Chips zu nutzen, um den 2-nm-GAA-Prozess frühzeitig bei HBM5 einzuführen.
Am 27. Juli veröffentlichte Samsung Electronics ein Interview mit Koo Ja-hyun, dem Leiter des Büros für Technologieentwicklung der Halbleitersparte. Koo erklärte, dass der nächste HBM5-Speicher voraussichtlich über 50 Prozent schneller sein wird als HBM4E. Der HBM5-Base-Chip wird einen 2-nm-GAA-Prozess (Gate-All-Around) verwenden und eine höhere TSV-Dichte (Through Silicon Via) erreichen. Samsung wird seine Erfahrungen und technische Wettbewerbsfähigkeit nutzen, die es mit den 4-nm-HBM4-Base-Chips gewonnen hat, um den 2-nm-Prozess frühzeitig bei HBM5 einzuführen. Das Unternehmen strebt danach, die Zusammenarbeit mit Kunden in den Bereichen Mobilfunk, HBM, Künstliche Intelligenz (KI), Hochleistungsrechnen (HPC), Automobilelektronik, Robotik und anderen Feldern auszubauen, um das Halbleiterökosystem anzuführen.
Quelle: 36Kr —
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