Samsung confirme que la HBM5 utilisera un processus GAA de 2 nm, avec une vitesse supérieure de plus de 50 % à celle de la HBM4E

Le 27 juillet, Samsung Electronics a publié une interview avec Koo Ja-hyun, responsable du bureau de développement technologique de la division semi-conducteurs. Koo a indiqué que la prochaine mémoire HBM5 devrait être plus de 50 % plus rapide que la HBM4E. La puce de base HBM5 utilisera un processus GAA (Gate-All-Around) de 2 nm et intégrera des TSV (Through Silicon Via) de plus haute densité. Samsung tirera parti de son expérience et de sa compétitivité technique acquises avec les puces de base HBM4 en 4 nm pour introduire le processus 2 nm dès la HBM5. L'entreprise vise à élargir la collaboration avec ses clients dans les domaines du mobile, du HBM, de l'IA, du HPC, de l'électronique automobile, de la robotique et d'autres secteurs pour diriger l'écosystème des semi-conducteurs.