三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度比HBM4E提升50%以上

7月27日，三星电子发布了半导体业务部门技术开发办公室负责人具滋贤的采访。具滋贤表示，下一代HBM5内存的运行速度预计将比HBM4E快50%以上。HBM5的基础芯片将采用2纳米GAA（环绕栅极）工艺，并实现更高密度的TSV（硅通孔）技术。三星将利用从4纳米HBM4基础芯片中获得的经验和技术竞争力，在HBM5中率先引入2纳米工艺。该公司计划在移动设备、高带宽内存、人工智能、高性能计算、汽车电子、机器人等领域扩大客户合作，以引领半导体生态系统。