三星确认HBM5将采用2nm GAA工艺,速度比HBM4E提升超50%
三星半导体开发部门负责人表示,HBM5的速度将比HBM4E提升超过50%,采用2nm工艺、环绕栅极晶体管和更密集的硅通孔连接。公司计划在移动设备、高带宽存储器、人工智能、高性能计算、汽车电子和机器人领域扩大合作。
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36Kr27.07 · 14:03
三星半导体开发部门负责人表示,HBM5的速度将比HBM4E提升超过50%,采用2nm工艺、环绕栅极晶体管和更密集的硅通孔连接。公司计划在移动设备、高带宽存储器、人工智能、高性能计算、汽车电子和机器人领域扩大合作。
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三星电子与博通签署了一份价值超过2000亿美元的战略合作谅解备忘录,有效期至2030年。该协议包括使用三星代工厂先进工艺节点制造逻辑芯片、开发HBM内存以及使用封装技术。
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