三星确认HBM5将采用2nm GAA工艺，速度比HBM4E提升超50%

7月27日，三星电子发布了对半导体业务开发部门负责人具京贤的采访。他宣称，下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E提升超过50%。HBM5的基础芯片将采用2纳米工艺，使用环绕栅极晶体管，并采用更密集的硅通孔技术。基于开发4纳米基础芯片HBM4所积累的经验，三星计划提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与客户在移动设备、高带宽内存、人工智能、高性能计算、汽车电子、机器人等领域的合作，以巩固其在半导体生态系统发展中的领导地位。