Samsung confirme que la HBM5 utilisera un procédé GAA de 2 nm, une vitesse supérieure de plus de 50 % à celle de la HBM4E

Le 27 juillet, Samsung Electronics a publié une interview avec le responsable du développement des semi-conducteurs, Kudja Hyun. Il a déclaré que la prochaine génération de mémoire HBM5 fonctionnera plus de 50 % plus rapidement que la HBM4E. La puce de base de la HBM5 sera fabriquée selon un processus de gravure en 2 nanomètres avec des transistors GAA (Gate-All-Around) et utilisera des TSV (Through-Silicon Vias) plus denses. Forte de l'expérience acquise lors du développement de la puce de base en 4 nanomètres de la HBM4, Samsung prévoit d'introduire le processus en 2 nanomètres dans la HBM5 avant l'échéance prévue et d'étendre sa collaboration avec ses clients dans les domaines des appareils mobiles, de la mémoire HBM, de l'intelligence artificielle, du calcul haute performance, de l'électronique automobile, de la robotique et autres, afin de renforcer son leadership dans le développement de l'écosystème des semi-conducteurs.