Samsung bestätigt: HBM5 nutzt 2-nm-GAA-Prozess, Geschwindigkeit über 50 % höher als HBM4E
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Der Leiter der Halbleiterentwicklung von Samsung erklärte, dass HBM5 mehr als 50 % schneller sein wird als HBM4E und dabei einen 2-nm-Prozess mit GAA-Transistoren sowie dichtere TSV-Verbindungen nutzt. Das Unternehmen plant, die Zusammenarbeit in den Bereichen mobile Geräte, HBM, KI, HPC, Automobilelektronik und Robotik auszubauen.
Am 27. Juli veröffentlichte Samsung Electronics ein Interview mit dem Leiter der Halbleiterentwicklung, Kudscha Hyon. Darin erklärte er, dass die nächste Speichergeneration HBM5 mehr als 50 Prozent schneller sein wird als HBM4E. Der Basischip von HBM5 wird in einem 2-Nanometer-Verfahren mit GAA-Transistoren (Gate-All-Around) gefertigt und nutzt dichtere TSVs (Through-Silicon Vias). Aufbauend auf den Erfahrungen, die bei der Entwicklung des 4-Nanometer-Basischips von HBM4 gesammelt wurden, will Samsung das 2-Nanometer-Verfahren früher als geplant in HBM5 einführen und die Zusammenarbeit mit Kunden in den Bereichen Mobilgeräte, HBM, künstliche Intelligenz, Hochleistungsrechnen, Automobilelektronik, Robotik und anderen ausbauen, um seine Führungsrolle in der Halbleiter-Ökosystementwicklung zu stärken.
Quelle: 36Kr —
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