Samsung confirme que la HBM5 utilisera un procédé GAA de 2 nm, une vitesse supérieure de plus de 50 % à celle de la HBM4E
Le responsable de la division développement des semi-conducteurs de Samsung a déclaré que la HBM5 sera plus de 50 % plus rapide que la HBM4E, utilisant un procédé de 2 nm avec des transistors GAA et des connexions TSV plus denses. L'entreprise prévoit d'étendre sa collaboration dans les domaines des appareils mobiles, de la HBM, de l'IA, du HPC, de l'électronique automobile et de la robotique.
Samsung
36Kr27.07 · 14:03
