Samsung confirma que HBM5 usará processo GAA de 2 nm, velocidade mais de 50% maior que HBM4E
O chefe da divisão de desenvolvimento de semicondutores da Samsung afirmou que o HBM5 será mais de 50% mais rápido que o HBM4E, utilizando um processo de 2 nm com transistores GAA e conexões TSV mais densas. A empresa planeja expandir a colaboração em dispositivos móveis, HBM, IA, HPC, eletrônica automotiva e robótica.
Samsung
36Kr27.07 · 14:03
