Samsung xác nhận HBM5 sẽ sử dụng tiến trình 2nm GAA, tốc độ nhanh hơn 50% so với HBM4E

Vào ngày 27 tháng 7, Samsung Electronics đã công bố bài phỏng vấn với Koo Ja-hyun, người đứng đầu văn phòng phát triển công nghệ của đơn vị kinh doanh bán dẫn. Ông Koo cho biết thế hệ bộ nhớ HBM5 tiếp theo dự kiến sẽ chạy nhanh hơn 50% so với HBM4E. Chip đế của HBM5 sẽ sử dụng quy trình 2nm GAA (Gate-All-Around - Bán dẫn bao quanh cổng) và đạt được TSV (Through Silicon Via - Kết nối xuyên Silic) mật độ cao hơn. Samsung sẽ tận dụng kinh nghiệm và năng lực công nghệ đạt được từ chip đế HBM4 4nm để sớm áp dụng quy trình 2nm trong HBM5. Công ty đặt mục tiêu mở rộng hợp tác với khách hàng trong các lĩnh vực di động, HBM, trí tuệ nhân tạo (AI), máy tính hiệu năng cao (HPC), điện tử ô tô, robot, và các lĩnh vực khác để dẫn dắt hệ sinh thái bán dẫn.