Samsung और Broadcom के बीच $200 बिलियन का AI चिप सहयोग समझौता

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Samsung Electronics और Broadcom ने 2030 तक $200 बिलियन से अधिक मूल्य का एक रणनीतिक सहयोग ज्ञापन (memorandum of strategic cooperation) पर हस्ताक्षर किया है। यह समझौता Samsung Foundry की उन्नत प्रक्रिया नोड्स का उपयोग करके लॉजिक चिप्स के उत्पादन, अगली पीढ़ी के HBM मेमोरी के विकास और उन्नत पैकेजिंग तकनीकों को शामिल करता है।
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने ब्रॉडकॉम के साथ 200 अरब डॉलर से अधिक मूल्य के एक सामरिक सहयोग ज्ञापन पर हस्ताक्षर करने की घोषणा की है, जो 2030 तक वैध होगा। यह समझौता सैमसंग फाउंड्री की उन्नत प्रक्रिया नोड्स का उपयोग करके लॉजिक चिप्स के उत्पादन, अगली पीढ़ी की एचबीएम मेमोरी के विकास और उन्नत पैकेजिंग प्रौद्योगिकियों के उपयोग को कवर करता है। एक प्रमुख तत्व सैमसंग की 2-नैनोमीटर से कम प्रक्रिया का उपयोग करके ब्रॉडकॉम की अगली पीढ़ी के संचार एएसआईसी का निर्माण होगा। कंपनियां एआई एक्सेलेरेटर के लिए हाई-स्पीड एचबीएम मेमोरी संयुक्त रूप से विकसित करने और कंप्यूट चिपलेट्स को मेमोरी के साथ एक ही पैकेज में एकीकृत करने की भी योजना बना रही हैं। सैमसंग के लिए, यह समझौता सामरिक रूप से महत्वपूर्ण है, जो कंट्रैक्ट सेमीकंडक्टर विनिर्माण (टीएसएमसी के साथ प्रतिस्पर्धा) और एआई मेमोरी बाजार (एसके हाइनिक्स के साथ प्रतिस्पर्धा) में अपनी स्थिति मजबूत करता है। यह सौदा दक्षिण कोरियाई राष्ट्रपति ली जे-मयुंग की एआई शिखर सम्मेलन के लिए सिलिकॉन वैली यात्रा के दौरान घोषित किया गया था।
स्रोत: 3DNews — मूल
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