Samsung und Broadcom unterzeichnen Kooperationsvereinbarung über 200 Milliarden Dollar für KI-Chips

Samsung Electronics hat die Unterzeichnung einer strategischen Kooperationsvereinbarung mit Broadcom im Wert von über 200 Milliarden US-Dollar bekannt gegeben, die bis 2030 gültig ist. Die Vereinbarung umfasst die Produktion von Logikchips unter Verwendung der fortschrittlichen Prozessknoten von Samsung Foundry, die Entwicklung von HBM-Speicher der nächsten Generation und die Nutzung moderner Verpackungstechnologien. Ein zentrales Element wird die Fertigung von Broadcoms Kommunikations-ASICs der nächsten Generation unter Verwendung des Sub-2-Nanometer-Prozesses von Samsung sein. Die Unternehmen planen außerdem die gemeinsame Entwicklung von schnellem HBM-Speicher für KI-Beschleuniger und die Integration von Compute-Chiplets mit Speicher in einem einzigen Paket. Für Samsung ist die Vereinbarung strategisch bedeutsam, da sie seine Position im Bereich der Auftragsfertigung von Halbleitern (im Wettbewerb mit TSMC) und im KI-Speichermarkt (im Wettbewerb mit SK Hynix) stärkt. Der Deal wurde während des Besuchs des südkoreanischen Präsidenten Lee Jae-myung im Silicon Valley zu einem KI-Gipfel bekannt gegeben.