Samsung et Broadcom signent un accord de coopération sur les puces IA de 200 milliards de dollars
Samsung
Broadcom
Samsung Electronics et Broadcom ont signé un mémorandum de coopération stratégique d'une valeur de plus de 200 milliards de dollars d'ici 2030. L'accord porte sur la production de puces logiques utilisant les nœuds de procédé avancés de Samsung Foundry, le développement de la mémoire HBM de nouvelle génération et les technologies d'encapsulation avancées.
Samsung Electronics a annoncé la signature d'un protocole d'accord de coopération stratégique avec Broadcom d'une valeur de plus de 200 milliards de dollars, valable jusqu'en 2030. L'accord couvre la production de puces logiques utilisant les nœuds de processus avancés de Samsung Foundry, le développement de la mémoire HBM de nouvelle génération et l'utilisation de technologies d'encapsulation avancées. Un élément clé sera la fabrication des circuits intégrés spécifiques à une application (ASIC) de communication de nouvelle génération de Broadcom en utilisant le processus sub-2 nanomètres de Samsung. Les entreprises prévoient également de développer conjointement une mémoire HBM à haute vitesse pour les accélérateurs d'intelligence artificielle (IA) et d'intégrer des chiplets de calcul avec de la mémoire dans un seul boîtier. Pour Samsung, cet accord est stratégiquement important, renforçant sa position dans la fabrication sous contrat de semi-conducteurs (en concurrence avec TSMC) et le marché de la mémoire pour l'IA (en concurrence avec SK hynix). L'accord a été annoncé lors de la visite du président sud-coréen Lee Jae-myung dans la Silicon Valley pour un sommet sur l'IA.
Source: 3DNews —
original
