SK hynix versnelt ontwikkeling van 3D-gestapeld DRAM voor AI-systemen

SK hynix heeft de ontwikkeling van 3D-gestapelde DRAM-op-Logic voor de volgende generatie AI-systemen, waaronder mobiele apparaten, geïntensiveerd. Het bedrijf is begonnen met het werven van ingenieurs die gespecialiseerd zijn in deze technologie via zijn Amerikaanse dochteronderneming in San Jose. SK hynix heeft al een overeenkomst getekend met een specifieke klant om oplossingen op basis van deze technologie te ontwikkelen, wat wijst op voorbereiding voor marktintroductie. De vacature specificeert nauwe samenwerking met een Amerikaanse klant om gezamenlijk 3D-gestapelde DRAM-op-Logic-dies te creëren, waarbij DRAM verticaal wordt geïntegreerd direct bovenop een systeem-op-een-chip. In tegenstelling tot package-on-package (PoP)-stapeling biedt deze methode kortere verbindingen, meer I/O-kanalen per oppervlakte, lagere latentie, verbeterde energie-efficiëntie en betere ruimtebenutting. De technologie is gericht op AI-systemen die hoge geheugenbandbreedte en laag stroomverbruik vereisen, waar traditionele PoP-schema's ontoereikend zijn. Een van de meest veelbelovende toepassingsgebieden zijn mobiele processors, met Apple en Qualcomm als toonaangevende ontwikkelaars. De routekaart van SK hynix, gepresenteerd op het TSMC-technologiesymposium, omvat verdere integratie van geheugen met logica, zoals het toepassen van geavanceerde logische processen op HBM4-basis-dies en uitbreiding naar hoogwaardig flashgeheugen (HBF) en 3D-gestapelde DRAM-op-Logic. Ondertussen doet Samsung ook onderzoek naar de volgende generatie 3D-DRAM, met een gezamenlijk gepubliceerd artikel met imec, KU Leuven en Lam Research over een monolithische 3D-DRAM-architectuur met oxide-halfgeleiderkanalen, hoewel het onderzoek nog in de simulatiefase verkeert en er geen marktplannen zijn aangekondigd.