SK hynix nopeuttaa 3D-pinottujen DRAM-muistien kehitystä tekoälyjärjestelmiä varten
SK hynix
SK hynix on nopeuttanut logiikkapiirin päälle 3D-pinottujen DRAM-muistien kehitystä tulevien sukupolvien tekoälyjärjestelmiä varten, mukaan lukien mobiililaitteet. Yhtiö rekrytoi insinöörejä Yhdysvaltojen tytäryhtiönsä kautta ja on jo allekirjoittanut asiakassopimuksen tähän teknologiaan perustuvien ratkaisujen kehittämiseksi.
Eteläkorealainen SK hynix -yhtiö on nopeuttanut 3D-pinottua DRAM-muistia (3D-Stacked DRAM-on-Logic) koskevan teknologian kehitystä, jossa muistisiruja sijoitetaan logiikkasirun päälle. Tämä muistille tarkoitettu teknologia, joka on samankaltainen kuin 3D V-Cache, tulee käyttöön tekoälyjärjestelmien uuden sukupolven laitteissa, mukaan lukien mobiililaitteissa. Nopeuttaakseen työtä SK hynix on alkanut rekrytoida tähän teknologiaan erikoistuneita insinöörejä yhdysvaltalaisen tytäryhtiönsä kautta San Joséssa. Lisäksi yhtiö on jo solminut sopimuksen tietyn asiakkaan kanssa 3D-pinottuun DRAM-muistiin perustuvien ratkaisujen kehittämisestä, kertoo ZDNet.
Lähde: 3DNews —
Alkuperäinen