إس كيه هاينكس تسرّع تطوير ذاكرة DRAM مكدسة ثلاثية الأبعاد لأنظمة الذكاء الاصطناعي

أعلنت شركة SK hynix الكورية الجنوبية عن تسريع وتيرة تطوير تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي ثلاثية الأبعاد المكدسة (3D-Stacked DRAM-on-Logic)، والتي تنطوي على وضع رقائق الذاكرة فوق رقاقة منطقية. هذه التقنية، المشابهة لتقنية 3D V-Cache ولكنها مخصصة للذاكرة، ستُستخدم في معدات الجيل الجديد لأنظمة الذكاء الاصطناعي، بما في ذلك الأجهزة المحمولة. لتسريع العمل، بدأت SK hynix في توظيف مهندسين متخصصين في هذه التقنية من خلال فرعها الأمريكي في سان خوسيه. علاوة على ذلك، أبرمت الشركة بالفعل اتفاقية مع عميل محدد لتطوير حلول تعتمد على ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي ثلاثية الأبعاد المكدسة، وفقًا لما ذكرته ZDNet.