SK hynix acelera desenvolvimento de DRAM 3D empilhada para sistemas de IA

A SK hynix intensificou o desenvolvimento de DRAM empilhada em 3D sobre lógica para sistemas de IA de próxima geração, incluindo dispositivos móveis. A empresa começou a recrutar engenheiros especializados nessa tecnologia por meio de sua subsidiária americana em San José. A SK hynix já assinou um acordo com um cliente específico para desenvolver soluções baseadas nessa tecnologia, indicando preparação para a introdução no mercado. O anúncio de emprego especifica uma colaboração próxima com um cliente americano para criar, em conjunto, dies de DRAM empilhada em 3D sobre lógica, onde a DRAM é integrada verticalmente diretamente sobre um sistema-em-um-chip (system-on-chip). Diferentemente do empilhamento pacote-sobre-pacote (package-on-package, PoP), esse método oferece interconexões mais curtas, mais canais de entrada/saída (I/O) por área, latência reduzida, eficiência energética melhorada e melhor aproveitamento do espaço. A tecnologia é voltada para sistemas de IA que exigem alta largura de banda de memória e baixo consumo de energia, onde os esquemas tradicionais PoP são insuficientes. Uma das áreas de aplicação mais promissoras são os processadores móveis, com a Apple e a Qualcomm como principais desenvolvedores. O roteiro da SK hynix, apresentado no simpósio de tecnologia da TSMC, inclui maior integração de memória com lógica, como a aplicação de processos lógicos avançados aos dies base do HBM4 e a expansão para memória flash de alta velocidade (high-speed flash memory, HBF) e DRAM empilhada em 3D sobre lógica. Enquanto isso, a Samsung também está realizando pesquisas sobre DRAM 3D de próxima geração, tendo publicado um artigo conjunto com a imec, a KU Leuven e a Lam Research sobre arquitetura DRAM 3D monolítica usando canais semicondutores de óxido, embora a pesquisa ainda esteja na fase de simulação, sem planos de mercado anunciados.