إس كيه هاينكس تسرّع تطوير ذاكرة الوصول العشوائي ثلاثية الأبعاد لأنظمة الذكاء الاصطناعي

تعمل شركة SK hynix على تكثيف تطوير ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) المكدسة ثلاثية الأبعاد على منطق لأجيال الأنظمة التالية من الذكاء الاصطناعي، بما في ذلك الأجهزة المحمولة. بدأت الشركة في توظيف مهندسين متخصصين في هذه التقنية من خلال شركتها التابعة في سان خوسيه بالولايات المتحدة. وقد وقعت SK hynix بالفعل اتفاقية مع عميل معين لتطوير حلول تعتمد على هذه التقنية، مما يشير إلى الاستعداد لإدخالها إلى السوق. ينص الإعلان الوظيفي على التعاون الوثيق مع عميل أمريكي لإنشاء رقائق DRAM مكدسة ثلاثية الأبعاد على منطق، حيث يتم دمج DRAM رأسياً مباشرة فوق نظام على رقاقة (SoC). على عكس التغليف فوق التغليف (PoP)، توفر هذه الطريقة وصلات أقصر، وقنوات إدخال/إخراج أكثر لكل مساحة، وزمن وصول أقل، وكفاءة طاقة محسنة، واستخدام أفضل للمساحة. تستهدف التقنية أنظمة الذكاء الاصطناعي التي تتطلب عرض نطاق ترددي عالٍ للذاكرة واستهلاكاً منخفضاً للطاقة، حيث تكون أنظمة PoP التقليدية غير كافية. أحد أكثر مجالات التطبيق الواعدة هو معالجات الأجهزة المحمولة، حيث تعتبر Apple وQualcomm من المطورين الرائدين. يتضمن خارطة طريق SK hynix، التي عُرضت في ندوة تقنيات TSMC، مزيداً من دمج الذاكرة مع المنطق، مثل تطبيق عمليات منطقية متقدمة على رقائق قاعدة HBM4 والتوسع إلى ذاكرة الفلاش عالية السرعة (HBF) وذاكرة DRAM المكدسة ثلاثية الأبعاد على منطق. في الوقت نفسه، تجري Samsung أيضاً أبحاثاً على جيل جديد من DRAM ثلاثي الأبعاد، حيث نشرت ورقة بحثية مشتركة مع imec وKU Leuven وLam Research حول بنية DRAM أحادية ثلاثية الأبعاد باستخدام قنوات شبه موصلة أكسيدية، على الرغم من أن البحث لا يزال في مرحلة المحاكاة دون الإعلان عن خطط تسويقية.