SK hynix, yapay zeka sistemleri için 3B istiflenmiş DRAM geliştirmesini hızlandırıyor

SK hynix, yapay zeka sistemlerine yönelik 3D istiflenmiş DRAM-üzeri-Mantık teknolojisinin, mobil cihazlar da dahil olmak üzere, geliştirilmesini hızlandırdı. Şirket, San Jose'deki Amerikan yan kuruluşu aracılığıyla bu teknolojide uzmanlaşmış mühendisleri işe almaya başladı. SK hynix, pazara giriş hazırlığına işaret eden bu teknolojiye dayalı çözümler geliştirmek için belirli bir müşteriyle anlaşma imzaladı. İş ilanı, DRAM'in doğrudan bir sistem-üstünde-çip üzerine dikey olarak entegre edildiği 3D istiflenmiş DRAM-üzeri-Mantık yongalarını ortaklaşa oluşturmak için bir Amerikan müşteriyle yakın işbirliği yapılacağını belirtiyor. Paket-üzeri-paket (package-on-package, PoP) istiflemesinden farklı olarak bu yöntem, daha kısa ara bağlantılar, alan başına daha fazla giriş/çıkış (I/O) kanalı, daha düşük gecikme süresi, iyileştirilmiş enerji verimliliği ve daha iyi alan kullanımı sunar. Teknoloji, geleneksel PoP şemalarının yetersiz kaldığı, yüksek bellek bant genişliği ve düşük güç tüketimi gerektiren yapay zeka sistemlerine yöneliktir. En umut verici uygulama alanlarından biri, Apple ve Qualcomm'un önde gelen geliştiriciler olduğu mobil işlemcilerdir. SK hynix'in TSMC teknoloji sempozyumunda sunulan yol haritası, HBM4 (High Bandwidth Memory 4) taban yongalarına gelişmiş mantık süreçlerinin uygulanması ve yüksek hızlı flaş bellek (HBF) ile 3D istiflenmiş DRAM-üzeri-Mantık'a genişleme gibi, belleğin mantıkla daha fazla entegrasyonunu içeriyor. Bu arada Samsung da, oksit yarı iletken kanalları kullanan monolitik 3D DRAM mimarisi üzerine imec, KU Leuven ve Lam Research ile ortak bir makale yayınlayarak, yeni nesil 3D DRAM üzerinde araştırma yapıyor; ancak araştırma hala simülasyon aşamasında olup duyurulmuş bir pazar planı bulunmuyor.