SK hynix beschleunigt Entwicklung von 3D-gestapeltem DRAM für KI-Systeme

SK hynix hat die Entwicklung von 3D-gestapeltem DRAM-on-Logic für KI-Systeme der nächsten Generation, einschließlich mobiler Geräte, intensiviert. Das Unternehmen begann, über seine amerikanische Tochtergesellschaft in San Jose Ingenieure zu rekrutieren, die auf diese Technologie spezialisiert sind. SK hynix hat bereits eine Vereinbarung mit einem bestimmten Kunden getroffen, um auf dieser Technologie basierende Lösungen zu entwickeln, was auf eine Vorbereitung der Markteinführung hindeutet. Die Stellenausschreibung spezifiziert eine enge Zusammenarbeit mit einem amerikanischen Kunden, um gemeinsam 3D-gestapelte DRAM-on-Logic-Dies zu entwickeln, bei denen DRAM vertikal direkt auf einem System-on-Chip integriert ist. Im Gegensatz zum Package-on-Package (PoP)-Stacking bietet diese Methode kürzere Verbindungen, mehr I/O-Kanäle pro Fläche, geringere Latenz, verbesserte Energieeffizienz und eine bessere Raumausnutzung. Die Technologie zielt auf KI-Systeme ab, die eine hohe Speicherbandbreite und einen geringen Stromverbrauch erfordern, bei denen herkömmliche PoP-Verfahren nicht ausreichen. Eines der vielversprechendsten Anwendungsgebiete sind mobile Prozessoren, wobei Apple und Qualcomm führende Entwickler sind. SK hynix' Roadmap, die auf dem TSMC-Technologiesymposium vorgestellt wurde, umfasst eine weitere Integration von Speicher mit Logik, wie die Anwendung fortschrittlicher Logikprozesse auf HBM4-Base-Dies und die Ausweitung auf Hochgeschwindigkeits-Flash-Speicher (HBF) und 3D-gestapeltes DRAM-on-Logic. In der Zwischenzeit forscht auch Samsung an 3D-DRAM der nächsten Generation und hat eine gemeinsame Veröffentlichung mit imec, der KU Leuven und Lam Research zur monolithischen 3D-DRAM-Architektur unter Verwendung von Oxid-Halbleiterkanälen veröffentlicht, obwohl sich die Forschung noch im Simulationsstadium befindet und keine Marktpläne angekündigt wurden.