SK hynix accélère le développement de la DRAM 3D empilée pour les systèmes d'IA

SK hynix a intensifié le développement de DRAM empilée en 3D sur logique (DRAM-on-Logic) pour les systèmes d'IA de nouvelle génération, y compris les appareils mobiles. L'entreprise a commencé à recruter des ingénieurs spécialisés dans cette technologie via sa filiale américaine à San Jose. SK hynix a déjà signé un accord avec un client spécifique pour développer des solutions basées sur cette technologie, ce qui indique une préparation à l'introduction sur le marché. L'offre d'emploi précise une collaboration étroite avec un client américain pour créer conjointement des puces DRAM empilées en 3D sur logique, où la DRAM est intégrée verticalement directement au-dessus d'un système sur puce (system-on-chip). Contrairement à l'empilement package-on-package (PoP), cette méthode offre des interconnexions plus courtes, davantage de canaux d'entrée-sortie par surface, une latence réduite, une efficacité énergétique améliorée et une meilleure utilisation de l'espace. La technologie vise les systèmes d'IA nécessitant une bande passante mémoire élevée et une faible consommation d'énergie, là où les schémas PoP traditionnels sont insuffisants. L'un des domaines d'application les plus prometteurs est celui des processeurs mobiles, avec Apple et Qualcomm comme principaux développeurs. La feuille de route de SK hynix, présentée au symposium technologique de TSMC, inclut une intégration plus poussée de la mémoire avec la logique, comme l'application de processus logiques avancés aux puces de base HBM4 et l'extension à la mémoire flash haute vitesse (HBF) et à la DRAM empilée en 3D sur logique. Parallèlement, Samsung mène également des recherches sur la DRAM 3D de nouvelle génération, ayant publié un article conjoint avec imec, la KU Leuven et Lam Research sur une architecture de DRAM 3D monolithique utilisant des canaux semi-conducteurs d'oxyde, bien que les recherches en soient encore au stade de la simulation sans annonce de plans de commercialisation.