SK hynix tăng tốc phát triển DRAM xếp chồng 3D cho hệ thống AI

SK hynix đã tăng cường phát triển công nghệ DRAM xếp chồng 3D trên Logic cho các hệ thống AI thế hệ mới, bao gồm cả thiết bị di động. Công ty bắt đầu tuyển dụng các kỹ sư chuyên về công nghệ này thông qua công ty con tại Mỹ ở San Jose. SK hynix đã ký thỏa thuận với một khách hàng cụ thể để phát triển các giải pháp dựa trên công nghệ này, cho thấy sự chuẩn bị cho việc ra mắt thị trường. Bản tin tuyển dụng nêu rõ sự hợp tác chặt chẽ với một khách hàng Mỹ để cùng tạo ra các die DRAM xếp chồng 3D trên Logic, nơi DRAM được tích hợp theo chiều dọc trực tiếp lên trên hệ thống trên chip (system-on-chip). Khác với phương pháp xếp chồng package-on-package (PoP), phương pháp này mang lại các kết nối ngắn hơn, nhiều kênh I/O trên mỗi diện tích hơn, độ trễ giảm, hiệu suất năng lượng cải thiện và tận dụng không gian tốt hơn. Công nghệ này nhắm đến các hệ thống AI yêu cầu băng thông bộ nhớ cao và tiêu thụ điện năng thấp, nơi các sơ đồ PoP truyền thống không đáp ứng được. Một trong những lĩnh vực ứng dụng đầy hứa hẹn nhất là bộ xử lý di động, với Apple và Qualcomm là những nhà phát triển hàng đầu. Lộ trình của SK hynix, được trình bày tại hội thảo công nghệ TSMC, bao gồm việc tích hợp sâu hơn bộ nhớ với logic, chẳng hạn như áp dụng quy trình logic tiên tiến cho các die cơ sở HBM4 và mở rộng sang bộ nhớ flash tốc độ cao (HBF) và DRAM xếp chồng 3D trên Logic. Trong khi đó, Samsung cũng đang tiến hành nghiên cứu về DRAM 3D thế hệ mới, đã công bố một bài báo chung với imec, KU Leuven và Lam Research về kiến trúc DRAM 3D nguyên khối sử dụng kênh bán dẫn oxit, mặc dù nghiên cứu vẫn ở giai đoạn mô phỏng và chưa có kế hoạch thị trường nào được công bố.