SK hynix ने AI प्रणालियों के लिए 3D-स्टैक्ड DRAM के विकास को तेज किया

SK हाइनिक्स ने अगली पीढ़ी के एआई सिस्टम, जिसमें मोबाइल डिवाइस शामिल हैं, के लिए 3D-स्टैक्ड DRAM-ऑन-लॉजिक के विकास को तेज कर दिया है। कंपनी ने सैन जोस में अपनी अमेरिकी सहायक कंपनी के माध्यम से इस तकनीक में विशेषज्ञ इंजीनियरों की भर्ती शुरू कर दी है। SK हाइनिक्स ने पहले ही एक विशिष्ट ग्राहक के साथ इस तकनीक पर आधारित समाधान विकसित करने के लिए एक समझौते पर हस्ताक्षर किए हैं, जो बाजार में पेश करने की तैयारी का संकेत देता है। नौकरी की पोस्टिंग में एक अमेरिकी ग्राहक के साथ मिलकर 3D-स्टैक्ड DRAM-ऑन-लॉजिक डाइज़ बनाने का उल्लेख है, जहाँ DRAM को सीधे सिस्टम-ऑन-चिप के ऊपर लंबवत रूप से एकीकृत किया जाता है। पैकेज-ऑन-पैकेज स्टैकिंग के विपरीत, यह विधि छोटे इंटरकनेक्ट, प्रति क्षेत्र अधिक I/O चैनल, कम विलंबता, बेहतर ऊर्जा दक्षता और बेहतर स्थान उपयोग प्रदान करती है। यह तकनीक उन एआई सिस्टम के लिए है जिन्हें उच्च मेमोरी बैंडविड्थ और कम बिजली खपत की आवश्यकता होती है, जहाँ पारंपरिक PoP योजनाएँ अपर्याप्त हैं। सबसे आशाजनक अनुप्रयोग क्षेत्रों में से एक मोबाइल प्रोसेसर है, जिसमें Apple और Qualcomm अग्रणी डेवलपर हैं। TSMC प्रौद्योगिकी संगोष्ठी में प्रस्तुत SK हाइनिक्स के रोडमैप में मेमोरी को लॉजिक के साथ और अधिक एकीकृत करना शामिल है, जैसे कि HBM4 बेस डाइज़ में उन्नत लॉजिक प्रक्रियाओं को लागू करना और हाई-स्पीड फ्लैश मेमोरी तथा 3D-स्टैक्ड DRAM-ऑन-लॉजिक तक विस्तार करना। इस बीच, सैमसंग भी अगली पीढ़ी के 3D DRAM पर शोध कर रहा है, जिसने imec, KU Leuven और Lam Research के साथ ऑक्साइड सेमीकंडक्टर चैनलों का उपयोग करके मोनोलिथिक 3D DRAM आर्किटेक्चर पर एक संयुक्त पेपर प्रकाशित किया है, हालाँकि यह शोध अभी भी सिमुलेशन चरण में है और बाजार में लाने की कोई योजना घोषित नहीं की गई है।