Taiwan's Nanya investeert 10,7 miljard dollar in geavanceerde EUV-DRAM-fabriek om te profiteren van AI

Het Taiwanese Nanya Technology heeft investeringen goedgekeurd van T$ 346,6 miljard (ongeveer $ 10,7 miljard) om de bouw van zijn Fab 5A-faciliteit te voltooien en over te stappen op geavanceerde productieprocessen. De fabriek, die al in aanbouw is, zal naar verwachting in de tweede helft van 2027 beginnen met de productie van DRAM met behulp van EUV-lithografie. In de nieuwe fabriek is het bedrijf van plan om geheugen in de 10nm-klasse te produceren, waaronder de generaties 1C, 1D en 1E. De pilotproductie van 1C is al gestart, terwijl 1D en 1E nog in ontwikkeling zijn. De capaciteit zal in fasen worden opgeschroefd: naar 30.000 wafers per maand in 2028 en naar 35.900 in 2029, met een verwachte piek van 45.000 wafers per maand. De totale kapitaaluitgaven voor Fab 5A worden geschat op ongeveer $ 16 miljard. De toepassing van EUV-lithografie binnen de 10nm-klasse stelt het bedrijf in staat om de productie van geavanceerdere geheugentypen uit te breiden, waardoor duplicatie van bestaande nodes wordt voorkomen. Ondertussen bereidt Nanya zich voor om LPDDR5-chips voor het einde van dit jaar te kwalificeren bij klanten. Ondanks een bescheiden wereldwijd marktaandeel in DRAM van ongeveer 1,6%, heeft Nanya recentelijk betere financiële resultaten geboekt dankzij stijgende prijzen voor DDR3 en DDR4. Volgens TrendForce is DDR5 momenteel goed voor slechts ongeveer 10% van de omzet van het bedrijf, dus Fab 5A zou de productiecapaciteit in dat segment aanzienlijk moeten vergroten. Daarnaast heeft het eveneens Taiwanese geheugenbedrijf Winbond plannen aangekondigd om zijn totale DRAM-productie op basis van bits te verdubbelen.