Nanya de Taïwan va investir 10,7 milliards de dollars dans une usine de mémoires DRAM EUV avancée pour tirer parti de l'IA

Taïwan's Nanya Technology a approuvé des investissements de 346,6 milliards de dollars taïwanais (environ 10,7 milliards de dollars américains) pour achever la construction de son installation Fab 5A et passer à des procédés de fabrication avancés. L'usine, déjà en construction, devrait commencer à produire de la DRAM utilisant la lithographie EUV au second semestre 2027. Dans la nouvelle usine, l'entreprise prévoit de fabriquer des mémoires de classe 10 nm, notamment les générations 1C, 1D et 1E, la production pilote de 1C ayant déjà commencé tandis que 1D et 1E sont encore en cours de développement. La capacité sera augmentée par étapes : à 30 000 plaquettes par mois en 2028, puis à 35 900 en 2029, avec un pic prévu de 45 000 plaquettes par mois. Les dépenses d'investissement totales sur Fab 5A sont estimées à environ 16 milliards de dollars. L'adoption de la lithographie EUV dans la classe 10 nm permettra à l'entreprise d'augmenter sa production de types de mémoire plus avancés, évitant ainsi la duplication des nœuds existants. Par ailleurs, Nanya se prépare à qualifier ses puces LPDDR5 auprès de ses clients d'ici la fin de cette année. Malgré une part de marché mondiale modeste d'environ 1,6 % dans la DRAM, Nanya a récemment amélioré ses résultats financiers grâce à la hausse des prix de la DDR3 et de la DDR4. Selon TrendForce, la DDR5 ne représente actuellement qu'environ 10 % du chiffre d'affaires de l'entreprise, donc Fab 5A devrait considérablement renforcer ses capacités de production dans ce segment. De plus, son compatriote taïwanais Winbond, également fabricant de mémoire, a annoncé son intention de doubler sa production globale de DRAM en termes de bits.