Taiwans Nanya investiert 10,7 Milliarden US-Dollar in fortschrittliche EUV-DRAM-Fabrik für KI

Taiwans Nanya Technology hat Investitionen in Höhe von 346,6 Milliarden Taiwan-Dollar (etwa 10,7 Milliarden US-Dollar) genehmigt, um den Bau ihrer Fab 5A abzuschließen und auf fortschrittliche Fertigungsprozesse umzusteigen. Die bereits im Bau befindliche Anlage soll in der zweiten Jahreshälfte 2027 mit der Produktion von DRAM unter Verwendung von EUV-Lithografie beginnen. In der neuen Fabrik plant das Unternehmen die Herstellung von Speicher der 10-Nanometer-Klasse, einschließlich der Generationen 1C, 1D und 1E, wobei die Pilotproduktion von 1C bereits begonnen hat, während sich 1D und 1E noch in der Entwicklung befinden. Die Kapazität wird schrittweise erhöht: auf 30.000 Wafer pro Monat im Jahr 2028 und auf 35.900 im Jahr 2029, mit einer prognostizierten Spitze von 45.000 Wafern monatlich. Die gesamten Investitionsausgaben für Fab 5A werden auf etwa 16 Milliarden US-Dollar geschätzt. Die Einführung der EUV-Lithografie in der 10-Nanometer-Klasse ermöglicht es dem Unternehmen, sein Angebot an fortschrittlicheren Speichertypen auszuweiten und Doppelungen bestehender Knoten zu vermeiden. Unterdessen bereitet Nanya die Qualifizierung von LPDDR5-Chips bei Kunden bis Ende dieses Jahres vor. Trotz eines bescheidenen globalen DRAM-Marktanteils von etwa 1,6 Prozent hat Nanya in letzter Zeit aufgrund steigender DDR3- und DDR4-Preise verbesserte Finanzergebnisse erzielt. Laut TrendForce macht DDR5 derzeit nur etwa 10 Prozent des Umsatzes des Unternehmens aus, sodass Fab 5A die Produktionskapazitäten in diesem Segment erheblich steigern dürfte. Darüber hinaus hat der taiwanesische Speicherhersteller Winbond Pläne angekündigt, seine gesamte DRAM-Produktion auf Bit-Basis zu verdoppeln.