Тайваньская Nanya инвестирует 10,7 млрд долларов в передовое производство DRAM на основе EUV-литографии для использования потенциала ИИ
Тайваньский производитель памяти Nanya одобрил инвестиции в размере 346,6 млрд тайваньских долларов (около 10,7 млрд долларов США) для завершения строительства своего предприятия Fab 5A и перехода на передовые технологические узлы. Завод, уже находящийся в стадии строительства, планирует начать производство DRAM с использованием EUV-литографии во втором полугодии 2027 года, ориентируясь на память класса 10 нм, включая поколения 1C, 1D и 1E.
Тайваньская компания Nanya Technology одобрила инвестиции в размере 346,6 млрд новых тайваньских долларов (приблизительно 10,7 млрд долларов США) на завершение строительства завода Fab 5A и переход на передовые технологические процессы. Предприятие, строительство которого уже ведётся, должно начать выпуск памяти DRAM (dynamic random-access memory, динамическая память с произвольным доступом) с
Показать ещё ↓
Источник: 3DNews —
оригинал