Taiwanin Nanya investoi 10,7 miljardia dollaria edistyneeseen EUV DRAM-tehtaaseen hyödyntääkseen tekoälyä

Taiwanilainen Nanya Technology on hyväksynyt investoinnit, joiden arvo on 346,6 miljardia Taiwanin dollaria (noin 10,7 miljardia Yhdysvaltain dollaria) Fab 5A -tehtaansa rakentamisen loppuun saattamiseksi ja siirtymiseksi kehittyneisiin valmistusprosesseihin. Jo rakenteilla olevan tehtaan odotetaan aloittavan DRAM-muistien valmistuksen EUV-litografialla vuoden 2027 toisella puoliskolla. Uudella tehtaalla yhtiö suunnittelee valmistavansa 10 nanometrin luokan muisteja, mukaan lukien 1C-, 1D- ja 1E-sukupolvet. 1C:n koetuotanto on jo alkanut, kun taas 1D ja 1E ovat vielä kehitysvaiheessa. Kapasiteettia lisätään vaiheittain: 30 000 piirilevyä kuukaudessa vuonna 2028 ja 35 900 vuonna 2029, ja ennustettu huippu on 45 000 piirilevyä kuukaudessa. Fab 5A:n kokonaisinvestoinnit ovat arviolta noin 16 miljardia Yhdysvaltain dollaria. EUV-litografian käyttöönotto 10 nanometrin luokassa mahdollistaa yhtiölle kehittyneempien muistityyppien tuotannon laajentamisen, välttäen olemassa olevien solmukohtien päällekkäisyyden. Samaan aikaan Nanya valmistautuu hyväksyttämään LPDDR5-sirunsa asiakkailla vuoden loppuun mennessä. Huolimatta vaatimattomasta noin 1,6 prosentin osuudesta maailmanlaajuisista DRAM-markkinoista, Nanya on viime aikoina parantanut taloudellisia tuloksiaan DDR3- ja DDR4-hintojen nousun ansiosta. TrendForen mukaan DDR5 muodostaa tällä hetkellä vain noin 10 prosenttia yhtiön liikevaihdosta, joten Fab 5A:n pitäisi merkittävästi lisätä sen tuotantokapasiteettia tässä segmentissä. Lisäksi toinen taiwanilainen muistivalmistaja Winbond on ilmoittanut suunnitelmistaan kaksinkertaistaa DRAM-tuotantonsa bittimääräisesti.