Nanya của Đài Loan đầu tư 10,7 tỷ USD vào nhà máy DRAM EUV tiên tiến để tận dụng AI

Nanya Technology của Đài Loan đã phê duyệt khoản đầu tư 346,6 tỷ Đài tệ (khoảng 10,7 tỷ USD) để hoàn thiện xây dựng nhà máy Fab 5A và chuyển sang các quy trình sản xuất tiên tiến hơn. Nhà máy này, hiện đang trong quá trình xây dựng, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất DRAM bằng công nghệ quang khắc EUV (Extreme Ultraviolet – cực tím sâu) vào nửa cuối năm 2027. Tại nhà máy mới này, công ty có kế hoạch sản xuất các loại bộ nhớ thuộc nhóm công nghệ 10nm, bao gồm các thế hệ 1C, 1D và 1E, trong đó dòng 1C đã bắt đầu sản xuất thử nghiệm, còn 1D và 1E vẫn đang trong giai đoạn phát triển. Công suất sẽ được nâng dần theo từng giai đoạn: đạt 30.000 wafer mỗi tháng vào năm 2028 và 35.900 wafer vào năm 2029, với mức đỉnh dự kiến là 45.000 wafer mỗi tháng. Tổng vốn đầu tư cho Fab 5A được ước tính khoảng 16 tỷ USD. Việc áp dụng công nghệ quang khắc EUV trong nhóm công nghệ 10nm sẽ giúp công ty mở rộng sản lượng các loại bộ nhớ tiên tiến hơn, đồng thời tránh trùng lặp với các node công nghệ hiện có. Trong khi đó, Nanya cũng đang chuẩn bị để các khách hàng chứng nhận (qualify) chip LPDDR5 vào cuối năm nay. Mặc dù thị phần DRAM toàn cầu của Nanya còn khá nhỏ, chỉ khoảng 1,6%, công ty gần đây đã cải thiện kết quả tài chính nhờ giá DDR3 và DDR4 tăng. Theo TrendForce, DDR5 hiện chỉ chiếm khoảng 10% doanh thu của công ty, vì vậy Fab 5A được kỳ vọng sẽ nâng cao đáng kể năng lực sản xuất của Nanya trong phân khúc này. Bên cạnh đó, một nhà sản xuất bộ nhớ khác của Đài Loan, Winbond, cũng đã công bố kế hoạch tăng gấp đôi tổng sản lượng DRAM tính theo đơn vị bit.