Nanya de Taiwán invertirá 10.700 millones de dólares en una fábrica avanzada de DRAM con litografía EUV para aprovechar la IA

La compañía taiwanesa Nanya Technology ha aprobado inversiones de 346.600 millones de dólares taiwaneses (aproximadamente 10.700 millones de dólares estadounidenses) para completar la construcción de su fábrica Fab 5A y pasar a procesos de fabricación avanzados. La planta, ya en construcción, se espera que comience a producir DRAM con litografía EUV en el segundo semestre de 2027. En la nueva fábrica, la empresa planea fabricar memoria de clase de 10nm, incluidas las generaciones 1C, 1D y 1E, con producción piloto de 1C ya iniciada, mientras que 1D y 1E aún están en desarrollo. La capacidad se incrementará gradualmente: a 30.000 obleas al mes en 2028 y a 35.900 en 2029, con un pico proyectado de 45.000 obleas mensuales. El gasto de capital total en Fab 5A se estima en unos 16.000 millones de dólares. La adopción de litografía EUV dentro de la clase de 10nm permitirá a la empresa ampliar la producción de tipos de memoria más avanzados, evitando la duplicación de nodos existentes. Mientras tanto, Nanya se está preparando para cualificar los chips LPDDR5 con los clientes a finales de este año. A pesar de una modesta cuota de mercado mundial de DRAM de alrededor del 1,6%, Nanya ha mejorado recientemente sus resultados financieros debido al aumento de los precios de DDR3 y DDR4. Según TrendForce, DDR5 actualmente representa solo alrededor del 10% de los ingresos de la empresa, por lo que Fab 5A debería impulsar significativamente sus capacidades de producción en ese segmento. Además, el fabricante taiwanés de memoria Winbond, también de Taiwán, ha anunciado planes para duplicar su producción total de DRAM en términos de bits.