台湾南亚科投资107亿美元建先进极紫外光刻DRAM晶圆厂，抢占人工智能先机

台湾南亚科技已批准投资新台币3466亿元（约107亿美元）以完成其Fab 5A工厂的建设并转向先进制造工艺。该工厂已在建设中，预计将于2027年下半年开始使用极紫外光刻技术生产DRAM。在新工厂，该公司计划制造10纳米级内存，包括1C、1D和1E代，其中1C已开始试产，而1D和1E仍在开发中。产能将分阶段提升：2028年达到每月3万片晶圆，2029年达到3.59万片，预计峰值可达每月4.5万片。Fab 5A的总资本支出估计约为160亿美元。在10纳米级采用极紫外光刻技术将使公司能够扩大更先进内存类型的产出，避免与现有节点重复。与此同时，南亚科技正准备在今年年底前让客户认证LPDDR5芯片。尽管全球DRAM市场份额仅约1.6%，但由于DDR3和DDR4价格上涨，南亚科技近期财务状况有所改善。根据集邦咨询的数据，DDR5目前仅占公司营收的约10%，因此Fab 5A应能显著提升该公司在该细分市场的生产能力。此外，台湾另一家内存制造商华邦电子已宣布计划将其整体DRAM产量（按比特计）翻倍。