A Nanya de Taiwan vai investir 10,7 bilhões de dólares em fábrica avançada de DRAM com EUV para aproveitar a IA

A Nanya Technology, de Taiwan, aprovou investimentos de T$ 346,6 bilhões (aproximadamente US$ 10,7 bilhões) para concluir a construção de sua Fab 5A e migrar para processos avançados de fabricação. A planta, já em construção, deve começar a produzir DRAM com litografia EUV no segundo semestre de 2027. Na nova fábrica, a empresa planeja fabricar memórias da classe de 10nm, incluindo as gerações 1C, 1D e 1E, com produção piloto da 1C já iniciada, enquanto 1D e 1E ainda estão em desenvolvimento. A capacidade será ampliada em etapas: para 30.000 wafers por mês em 2028 e para 35.900 em 2029, com pico projetado de 45.000 wafers mensais. O gasto total de capital na Fab 5A é estimado em cerca de US$ 16 bilhões. A adoção da litografia EUV dentro da classe de 10nm permitirá à empresa expandir a produção de tipos de memória mais avançados, evitando duplicação de nós existentes. Enquanto isso, a Nanya está se preparando para qualificar chips LPDDR5 com clientes até o final deste ano. Apesar de uma modesta participação no mercado global de DRAM de cerca de 1,6%, a Nanya recentemente melhorou seus resultados financeiros devido ao aumento dos preços de DDR3 e DDR4. De acordo com a TrendForce, a DDR5 atualmente representa apenas cerca de 10% da receita da empresa, então a Fab 5A deve impulsionar significativamente sua capacidade de produção nesse segmento. Além disso, a também taiwanesa fabricante de memórias Winbond anunciou planos de dobrar sua produção geral de DRAM em termos de bits.