حادث مخبري قد يُحدث ثورة في الحوسبة

أثناء اختبار دوائر الذاكرة، نسي أحد الطلاب توصيل الطرف القاعدي (Bulk) لترانزستور MOSFET، مما تسبب في ظهور سلوك كهربائي يشبه الخلايا العصبية: ارتفاع مفاجئ في التيار عند بلوغ الجهد عتبة معينة، ثم استرخاء تلقائي. أدرك الفريق أنه مع ترك الطرف القاعدي طافيًا (غير موصول)، تتراكم الثقوب الناتجة عن التأين بالتصادم في القاعدة السليكونية، محولة الترانزستور إلى جهاز ثنائي القطبية يطلق نبضات مشابهة للخلايا العصبية البيولوجية. وبالتحكم في مقاومة اتصال القاعدة باستخدام ترانزستور ثانٍ، حققوا إطلاقًا متسقًا وموثوقًا عبر ملايين الدورات. قد يتيح هذا الاكتشاف العرضي إمكانية الحوسبة العصبية الشكلية (Neuromorphic Computing) الموفرة للطاقة باستخدام ترانزستورات CMOS القياسية، مما قد يقلل من استهلاك الطاقة الهائل للذكاء الاصطناعي. حاليًا، تستهلك وحدات معالجة الرسوميات (GPUs) ما يصل إلى 1000 واط لكل منها، وقد أظهرت الرقائق العصبية الشكلية التي تستخدم دوائر ترانزستور معقدة تقليصًا في الطاقة يصل إلى 1000 ضعف. أما الخلية العصبية أحادية الترانزستور فستسمح بأنظمة أكبر وأكثر كفاءة.