SK hynix accelerates development of 3D-stacked DRAM for AI systems
SK hynix
SK hynix has accelerated the development of DRAM with 3D stacking on top of a logic die for next-generation AI systems, including mobile devices. The company is recruiting engineers through its U.S. subsidiary and has already signed a customer agreement to develop solutions based on this technology.
Южнокорейская компания SK hynix ускорила разработку технологии 3D-стекированной DRAM (3D-Stacked DRAM-on-Logic), которая предполагает размещение кристаллов памяти поверх логического кристалла. Эта технология, аналогичная 3D V-Cache, но предназначенная для памяти, будет использоваться в оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе в мобильных устройствах. Для ускорения работ SK hynix начала набор инженеров, специализирующихся на этой технологии, через свой американский филиал в Сан-Хосе. Кроме того, компания уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе 3D-стекированной DRAM, сообщает ZDNet.
Nguồn: 3DNews —
bản gốc