三星确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,速度比HBM4E提升50%以上
三星电子确认其下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺,速度比HBM4E提升50%以上。公司计划利用其在4纳米HBM4基础芯片方面的经验,在HBM5中提前引入2纳米GAA工艺。
Samsung
36Kr27.07 · 14:03
三星电子确认其下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺,速度比HBM4E提升50%以上。公司计划利用其在4纳米HBM4基础芯片方面的经验,在HBM5中提前引入2纳米GAA工艺。
Samsung
华硕发布了基于AMD EPYC 9005/9004的双路RS720A-E13-RS8G服务器,遵循DC-MHS标准设计。该服务器支持最多24个DDR5内存插槽、八个U.2硬盘位以及灵活的PCIe 5.0扩展系统,包括GPU支持。值得注意的是,它配备了模块化的ASMB12-iKVM管理卡,带有BMC(基板管理控制器)和TPM(可信平台模块)连接器。
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