一个实验室错误可能彻底改变计算方式

2024年，在沙特阿拉伯王国的一个实验室里，一名学生忘记连接MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的衬底端以测量存储器，导致电流急剧增加并出现迟滞现象，类似于生物神经元的行为。由马里奥·兰萨和斯蒂芬·帕索斯领导的研究人员发现，当衬底浮空时，由碰撞电离产生的空穴无法流向地，而是在衬底中积累，提高了衬底电压。当该电压超过阈值时，一个隐藏的双极型晶体管突然导通，产生一个电流尖峰，随后电压逐渐恢复。通过使用一个额外的晶体管来调节衬底电阻，科学家实现了均匀的行为：所有神经元在相同的电压下触发，且变异性低。测试表明，该系统可在1000万次周期内稳定工作，无故障发生。目前，一个神经元由数十至数百个MOSFET实现，而所提出的方法每个神经元仅需一到两个晶体管，这可能使系统能够扩展，在能效上接近人脑——人脑的效率大约比现代神经网络高一百万倍。