Samsung confirma que HBM5 usará proceso GAA de 2 nm, velocidad más de un 50% más rápida que HBM4E

Samsung Electronics confirmó que su memoria HBM5 de próxima generación utilizará un proceso GAA de 2 nm, logrando una velocidad más de un 50% superior a la de HBM4E. La compañía planea aprovechar su experiencia con chips base HBM4 de 4 nm para introducir tempranamente el proceso GAA de 2 nm en HBM5.

Samsung

ASUS presenta el servidor RS720A-E13-RS8G basado en AMD EPYC 9005 con soporte DC-MHS y ricas funciones

ASUS ha lanzado el servidor RS720A-E13-RS8G de dos unidades basado en AMD EPYC 9005/9004, construido según el estándar DC-MHS. El servidor admite hasta 24 ranuras DDR5, ocho bahías U.2 y un sistema de expansión flexible PCIe 5.0, que incluye soporte para GPU. Destaca la tarjeta de gestión modular ASMB12-iKVM con conector BMC y TPM.

Broadcom