高带宽内存不够用,AI固态硬盘蓄势待发迎来爆发式增长
Moonshot AI
NVIDIA
Huawei
Maxio Tech
随着大语言模型推理触及容量和输入输出瓶颈,固态硬盘正从静态存储转变为推理实时数据通路的一部分,成为继高带宽内存、显存和动态随机存取内存之后的正式存储层级。业界正出现两条主要路线:增强人工智能负载的企业级固态硬盘,以及直接调度数据的推理参与型固态硬盘,群联电子、江波龙以及联芸科技与云豹智能联盟正引领这一潮流。
大语言模型推理正面临两大瓶颈:容量和I/O。模型参数持续增长,而长上下文、多轮对话和智能体任务则使KV Cache膨胀;MoE模型虽然减少了每次计算所需的活跃参数,但需要存储远超VRAM或DRAM容量的专家权重。在云数据中心,昂贵的HBM被权重和KV Cache占用,限制了GPU利用率;在边缘和终端设备上,有限的DRAM或统一内存限制了模型大小。当内存难以单独应对推理负载时,SSD正进入实时推理数据路径,成为继HBM、VRAM和DRAM之后的正式存储层级。这一转变在推理基础设施中可见一斑:月之暗面公司的Mooncake采用以KV Cache为中心的分离式架构,将CPU、DRAM和SSD池化为分布式缓存,其中Mooncake Store支持DRAM和SSD/NVMe的多级缓存;2026年,NVIDIA在Vera Rubin基础设施中推出了CMX上下文内存存储平台,增加了用于KV Cache的以太网连接闪存层,由BlueField-4管理NVMe SSD。然而,传统SSD并不适合持续性推理任务:它们是为文件和块存储设计的,侧重于顺序带宽、随机IOPS和可靠性,而LLM推理需要具有严格时序约束的数据供给。KV Cache在预填充阶段写入并被重复读取;MoE模型在每层计算前需要特定的专家权重;任何一次读取失误都可能导致GPU、NPU或CPU停顿。高队列深度下的峰值IOPS并不等同于低队列深度、细粒度访问下的稳定延迟。NAND闪存按页读取、按块擦除,FTL(闪存转换层)会导致写放大和尾延迟;持续的KV Cache写入会加剧闪存磨损。传统LBA布局忽略了层、专家和KV块之间的语义关系,将相关数据分散,无法实现可预测的并行读取。文件系统、块设备和NVMe软件栈增加了延迟。如果没有面向模型执行顺序的地址布局、缓存分区、优先级调度、异步预取和寿命管理,SSD无法像DRAM或VRAM那样稳定地参与令牌生成。市场上存在两种类型的“AI SSD”:第一类是AI负载增强的企业级SSD,例如英韧科技的洞庭N3X系列,采用XL-Flash和SLC NAND,实现低延迟和高耐久性,针对KV Cache卸载和高并发临时数据,号称延迟降低至三分之一,写入吞吐量提升三倍,DWPD(每日全盘写入次数)是TLC SSD的17至33倍;华为的OceanDisk系列包括EX 560(高随机写入性能)、SP 560(均衡性能)和LC 560(最高245TB容量,用于训练数据和向量数据库),并配有DiskBooster驱动软件,支持与HBM和DDR的分层。第二类是参与推理的AI SSD,旨在改变SSD运行逻辑,通过控制器、固件和中间件创建虚拟化的NAND和DRAM/VRAM层级。群联电子的aiDAPTIV使用缓存SSD和中间件在VRAM和SSD之间流式传输模型权重,在无需增加GPU的情况下扩展模型大小,并保留KV Cache以供重用,耐久性高达100 DWPD。江波龙电子的WM8500 SPU集成压缩、缓存和数据调度,iSA软件做出分层和预取决策,采用5纳米工艺、无损压缩、HLC和混合NAND调度。Maxio-Infplane联盟(联芸科技和Infplane)将Infplane的推理芯片技术(如多级缓存和预取)与联芸科技的NAND和SSD控制器专业知识相结合,针对MoE专家、KV Cache和数值精度,旨在实现无需修改模型文件或框架的兼容性,并扩展验证至AI PC、工作站和边缘设备。这些路线在技术范围上有所不同,有的增强I/O,有的参与运行时调度。行业竞争刚刚开始,已有验证产品和商业化尝试,未来可能不会取代HBM、VRAM或DRAM,而是重新分层容量、性能和成本,使SSD成为令牌经济学的关键变量。
来源: InfoQ 中国 —
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