SanDisk và SK Hynix chuẩn hóa bộ nhớ flash băng thông cao

SanDisk và SK Hynix vừa cùng công bố một đặc tả chuẩn hóa cho bộ nhớ High Bandwidth Flash (HBF), được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về bộ nhớ dung lượng cao trong các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI). HBF kết hợp những ưu điểm về băng thông của bộ nhớ High Bandwidth Memory (HBM) với hiệu quả chi phí của lưu trữ NAND flash. Đặc tả này, dự kiến hoàn thiện vào cuối năm 2025, xác định giao diện và phương pháp tích hợp để tạo điều kiện cho việc áp dụng rộng rãi trong ngành. SanDisk và SK Hynix khẳng định rằng HBF sẽ cung cấp băng thông gấp hơn hai lần và dung lượng gấp bốn lần so với một ổ SSD tiêu chuẩn. Các sản phẩm HBF đầu tiên được dự đoán sẽ xuất hiện vào năm 2026, nhắm vào các môi trường điện toán hiệu năng cao và AI.