свидетельствует о подготовке к выходу на рынок. В объявлении о вакансии указано, что требуется тесное сотрудничество с американским заказчиком для совместного создания кристаллов 3D-стекинга DRAM-на-логике, где DRAM вертикально интегрируется непосредственно поверх системы на кристалле (system-on-chip). В отличие от укладки «корпус-на-корпусе» (package-on-package, PoP), этот метод обеспечивает более короткие соединения, больше каналов ввода-вывода (I/O) на единицу площади, сниженную задержку, повышенную энергоэффективность и лучшее использование пространства. Технология предназначена для систем AI, требующих высокой пропускной способности памяти и низкого энергопотребления, где традиционные схемы PoP недостаточны. Одной из наиболее перспективных областей применения являются мобильные процессоры, а ведущими разработчиками выступают Apple и Qualcomm. Дорожная карта SK hynix, представленная на технологическом симпозиуме TSMC, включает дальнейшую интеграцию памяти с логикой, например, применение передовых логических процессов к базовым кристаллам HBM4 и расширение на высокоскоростную флэш-память (high-speed flash memory, HBF) и 3D-стекинг DRAM-на-логике. Тем временем Samsung также проводит исследования в области 3D DRAM следующего поколения, опубликовав совместную работу с imec, KU Leuven и Lam Research по монолитной архитектуре 3D DRAM с использованием оксидных полупроводниковых каналов, хотя исследование остается на этапе моделирования, и о планах выхода на рынок не объявлено.