использованием технологии EUV-литографии (extreme ultraviolet, экстремальный ультрафиолет) во второй половине 2027 года. На новом заводе компания планирует выпускать память класса 10 нм, включая поколения 1C, 1D и 1E: пилотное производство 1C уже начато, тогда как 1D и 1E пока находятся в стадии разработки. Наращивание мощностей будет происходить поэтапно: до 30 000 пластин в месяц в 2028 году и до 35 900 пластин в 2029 году, с прогнозируемым пиковым показателем в 45 000 пластин в месяц. Общий объём капитальных затрат на Fab 5A оценивается примерно в 16 млрд долларов. Внедрение EUV-литографии в рамках класса 10 нм позволит компании увеличить выпуск более совершенных типов памяти, избегая дублирования уже существующих техпроцессов. Тем временем Nanya готовится к концу этого года пройти квалификацию чипов LPDDR5 у своих заказчиков. Несмотря на скромную долю на мировом рынке DRAM — около 1,6% — Nanya в последнее время улучшила финансовые показатели благодаря росту цен на DDR3 и DDR4. По данным TrendForce, на DDR5 сейчас приходится лишь около 10% выручки компании, поэтому запуск Fab 5A должен существенно расширить её производственные возможности в этом сегменте. Кроме того, ещё один тайваньский производитель памяти, Winbond, объявил о планах удвоить общий объём выпуска DRAM в битовом эквиваленте.