Производство памяти CXMT выросло почти в 20 раз и приближается к уровню Micron
Micron
Corsair
Китайский производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) резко нарастил мощности: с 40 тыс. пластин DDR4 в месяц в 2020 году до 720 тыс. пластин за квартал к концу 2025 года. Ожидается, что к концу 2026 года компания будет выпускать до 375 тыс. пластин DRAM в месяц, что сопоставимо с показателями Micron. Рост обусловлен бумом ИИ, который подстегнул цены на память, а также активным использованием продукции CXMT в потребительском сегменте, например в модулях Corsair.
Китайский производитель чипов оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) демонстрирует стремительный рост производственных мощностей. В 2020 году компания выпускала 40 тыс. пластин DDR4 в месяц, а к концу 2025 года вышла на показатель 720 тыс. пластин за квартал. По оценкам аналитиков Citrini, к концу 2026 года CXMT может достичь объёма 350–375 тыс. пластин DRAM в месяц, что сравнимо с объёмами американской Micron. Финансовые ограничения сняты благодаря буму ИИ, который привёл к резкому росту цен на память и, соответственно, прибыли производителей. Продукция CXMT всё активнее используется в потребительских устройствах: производитель Corsair устанавливает их на свои модули памяти. Это помогает избежать беспрецедентного роста цен на DDR5. К 2030 году CXMT может выйти на уровень 950 тыс. пластин в месяц, став крупнейшим производителем в Китае и конкурируя с мировыми лидерами. Пока компания не выпускает топовые чипы DDR5 и HBM, но даже существующая продукция может существенно повлиять на мировой рынок памяти, где из-за высокого спроса со стороны ИИ потребительская электроника резко подорожала.
- Сокращения
- DRAM = Dynamic Random Access Memory — динамическая оперативная память
- DDR4 = Double Data Rate 4 — DDR4 (оперативная память четвёртого поколения с удвоенной скоростью передачи данных)
- DDR5 = Double Data Rate 5 — DDR5 (оперативная память пятого поколения с удвоенной скоростью передачи данных)
- HBM = High Bandwidth Memory — память с высокой пропускной способностью
Источник: 3DNews —
оригинал